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碳化硅 MOSFET

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老化測試有助于面對 SiC MOSFET 的不穩(wěn)定性

在本文中，我們將重點介紹老化測試如何幫助評估碳化硅 MOSFET 在晶圓級的柵極閾值電壓的穩(wěn)定性。眾所周知，關(guān)于 SiC 功率器件可靠性的一個主要問題是器件工作期間閾值電壓 (V TH ) 的變化。

功率器件
2022-12-06

碳化硅 MOSFET 老化測試