Flash存儲器,也稱為閃存存儲器,是一種非易失性存儲器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲技術(shù)。Flash存儲器的基本工作原理是通過多層存儲單元的電荷累積和流動來存儲和擦除數(shù)據(jù)。每個存儲單元由一個FET(場效應(yīng)晶體管)和一個電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當(dāng)需要修改某個存儲單元的值時,F(xiàn)lash存儲器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。