本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究自由空間及纏繞結(jié)構(gòu)中導(dǎo)體的有效電阻。圖 1 顯示了第一個(gè)例子。其為自由空間中單條導(dǎo)線的橫截面,其攜帶的是高頻電流。如果電流為 直流
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示,其工作特性有三個(gè)工作區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)。其中,線性區(qū)也稱(chēng)恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū);完全導(dǎo)通區(qū)也稱(chēng)可變電阻區(qū)。
1 引言 大功率變流器正在被越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,其所使用的igbt越來(lái)越短的開(kāi)關(guān)時(shí)間導(dǎo)致了過(guò)高的dv/dt和di/dt,這就導(dǎo)致了分布雜散電感對(duì)功率器件關(guān)斷特性有更重要的影響。疊層母排技術(shù)可以有效抑制igbt的過(guò)電壓尖峰
超 寬帶天線在軟件無(wú)線電系統(tǒng)、寬帶無(wú)線接入、電子對(duì)抗、探地雷達(dá)和電磁兼容測(cè)量等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著超寬帶平面單極子天線研究的深入及其廣泛應(yīng) 用,在FCC(Federal Communications Commission)分配的UW