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一種高精度低功耗的 BiCMOS 過溫保護(hù)電路
摘 要 ：基于 UMC0.25 μm BCD 工藝，設(shè)計了一種高精度低溫漂的過溫保護(hù)電路。相對傳統(tǒng)電壓比較器結(jié)構(gòu)的過溫保護(hù)電路，無電壓比較器結(jié)構(gòu)的過溫保護(hù)電路利用雙極型晶體管的溫度特性和閾值電壓來檢測芯片內(nèi)部溫度和控制芯片的關(guān)斷。當(dāng)芯片內(nèi)部溫度高于系統(tǒng)設(shè)定值時，過溫保護(hù)電路輸出高電平并且關(guān)斷芯片其他模塊，實現(xiàn)過溫保護(hù)功能。利用 Cadence 和 Hspice 仿真軟件對過溫保護(hù)電路進(jìn)行驗證分析。仿真結(jié)果表明 ：在電源電壓為 5 V， 且芯片工作溫度上升過程中，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度高于 100.02 ℃時，過溫保護(hù)電路輸出高電平，芯片系統(tǒng)被過溫保護(hù)
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有源元件溫度系數(shù)對總誤差的影響
現(xiàn)在市面上可以看到很多0V~30V或60V可調(diào)直流輸出范圍的電源，但高于60V的電源則很少。本設(shè)計實例可提供這樣一個解決方案?！ ‖F(xiàn)在有很多固定電壓開關(guān)模式電源(SMPS)，
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一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計
摘要：設(shè)計了一種結(jié)構(gòu)簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源。以BrokaW帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)來進(jìn)行設(shè)計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進(jìn)行了完整模擬仿真，-20～125℃溫度范圍內(nèi)，基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)大約為17.4 ppm/℃，輸出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz頻率范圍內(nèi)平均電源抑制比(PSRR)為-46.8 dB。電路實現(xiàn)了良好的溫度特性和高精度輸出。
