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示波器測(cè)量基礎(chǔ)
通常，在進(jìn)行示波器測(cè)量時(shí)，需要考慮的重要指標(biāo)有：1、帶寬2、采樣率3、波形捕獲率4、存儲(chǔ)深度5、觸發(fā)6、通道數(shù)7、探頭除以上之外，還有其他一些指標(biāo)需要考慮：串行總線分析測(cè)量與分析顯示質(zhì)量連接和文檔價(jià)格與趨勢(shì)等
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Keithley技術(shù)文獻(xiàn)：半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
通用測(cè)試 電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類(lèi)型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型
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基于FFT的信號(hào)分析和測(cè)量基礎(chǔ)
1. 基本信號(hào)分析計(jì)算 分析信號(hào)的基本計(jì)算包括：將雙邊功率譜轉(zhuǎn)換為單邊功率譜、調(diào)整頻率精度并繪制頻譜、使用FFT，以及將功率和振幅轉(zhuǎn)換為對(duì)數(shù)單位。 功率譜返回一個(gè)數(shù)組，包含時(shí)域信號(hào)的雙邊功
小軒窗
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