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半導(dǎo)體C-V測量入門(2)
基本測試配置 圖3給出了一種基本的C-V測量配置框圖。由于C-V測量實(shí)際上是在交流頻率下進(jìn)行的，因此待測器件（DUT）的電容可以根據(jù)下列公式計(jì)算得到： CDUT = IDUT / 2πfVac，其中 IDUT是通過D
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半導(dǎo)體C-V測量入門(1)
普通測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導(dǎo)體器件，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)的參數(shù)。但是，通過C-V測量還能夠?qū)芏嗥渌愋偷陌雽?dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、
