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GaN 將射頻應(yīng)用推向新的階段
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可滿足高功率和射頻應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。GaN 的帶隙是傳統(tǒng)硅的三倍以上，它允許功率器件在比硅更高的溫度和電壓下工作，而不會(huì)破壞或降低其性能和可靠性。此外，其極低的導(dǎo)通電阻使 GaN 能夠提供非常高的電流和射頻功率密度，在雷達(dá)、功率轉(zhuǎn)換器和功率放大器等高功率射頻系統(tǒng)中得到應(yīng)用。
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德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由
在正式發(fā)布之前，TI投入大量人力物力， 累計(jì)進(jìn)行了超過(guò)2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試，使得電源設(shè)計(jì)工程師可以更放心地在各種電源應(yīng)用中使用氮化鎵。
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產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。
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產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。
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