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氮化鎵開關(guān)管

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  • 未來十年氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元

    雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主，但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中，硅基器件有些捉襟見肘，而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場景。這主要是因為，他們屬于寬禁帶半導體材料，與硅等傳統(tǒng)的半導體材料相比，具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特，氮化鎵是3.4電子伏特。