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GaN 器件如何提高諧振轉(zhuǎn)換器效率
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，尤其是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等。因為寬帶隙材料具有相對寬的帶隙(與常用的硅相比)，所以寬帶隙器件可以在高電壓，高溫和高頻率下工作。寬帶隙器件可以提高能效和延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
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集成氮化鎵(GaN) 功率 FET正在改變傳統(tǒng)電源方案
作為一名電力電子工程師，有句話說得好，沒有從電力設(shè)備爆炸中吸取的教訓(xùn)，就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調(diào)試開關(guān)模式電源的經(jīng)驗中，這似乎是正確的。通過反復(fù)試驗和對設(shè)備故障的研究，我們可以學(xué)習(xí)如何設(shè)計可靠工作的轉(zhuǎn)換器。
