隨著社會的不斷進(jìn)步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計,功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu),以期實(shí)現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。
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