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更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)
隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來設(shè)計(jì)，功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒的。瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長(zhǎng)出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實(shí)現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。
