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突破！西安高校團(tuán)隊(duì)從 8 英寸硅片制備出氧化鎵外延片~
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，本周西安一高校半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)宣布在半導(dǎo)體材料研究上取得突破！該研究成功在 8 英寸硅片中制備出高質(zhì)量的氧化鎵外延片，標(biāo)志著在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。
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SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么
SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。
