-
先導(dǎo)交付國內(nèi)首套G4.5代高遷移率氧化物靶材
金屬氧化物半導(dǎo)體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點，被認(rèn)為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導(dǎo)體材料。在平板顯示領(lǐng)域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術(shù)方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
金屬氧化物半導(dǎo)體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點，被認(rèn)為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導(dǎo)體材料。在平板顯示領(lǐng)域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術(shù)方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號：京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com ）
