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新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品

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IEMN 結(jié)果顯示 ALLOS 新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過 1400 V 的擊穿電壓

法國 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士領(lǐng)導(dǎo)的一支團隊制造出了器件，并在由德國 ALLOS Semiconductors 公司提供的兩款不同的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品上進行了測量。

顯示光電
2018-02-06

擊穿電壓新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品

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