電子器件向著小型化方向發(fā)展,GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小,從而簡化了設(shè)計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作,移動速度最高可快10倍。
學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計,完成測試
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