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基于65 nm工藝的SOC物理設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)研究
摘 要：隨工藝的演進(jìn)，集成電路發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入超深亞微米階段，芯片的成本、，性能、功耗、信號完整性等問題將成 為制約SOC芯片設(shè)計的關(guān)鍵問題。文章基于65GP工藝的實(shí)際項(xiàng)目模塊級物理設(shè)計，在現(xiàn)超深亞微米下，對芯片的低功耗、 congestion,信號完整，性等后端物理設(shè)計等關(guān)鍵問題進(jìn)行了細(xì)致研究，并提出了一些新方法和新思想，從而提高了signoff的交 付質(zhì)量，完成了tapeout要求。
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FIFO隊列原理簡述 擁塞避免原理
擁塞管理是指網(wǎng)絡(luò)在發(fā)生擁塞時，如何進(jìn)行管理和控制。FIFO隊列不對報文進(jìn)行分類，按報文到達(dá)接口的先后順序讓報文進(jìn)入隊列，采用盡力而為的轉(zhuǎn)發(fā)模式，PQ隊列是針對關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用設(shè)計的。
