你知道什么是Cool-MOS嗎?對于常規(guī)VDMOS 器件結構, Rdson 與BV 這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI 參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和,這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。
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