拋光過程隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片特征尺寸越來越小,互連層數(shù)越來越多,晶圓直徑也不斷增大。要實(shí)現(xiàn)多層布線,晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度,而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù),它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。