沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線(xiàn)的投資建設(shè)中,約80%的投資用于購(gòu)買(mǎi)設(shè)備,薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。
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