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IC封裝對EMI性能的影響
開關(guān)電源中電磁干擾 (EMI) 的起源可以追溯到功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 開關(guān)過程中產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt)。 ） 設(shè)備。
開關(guān)電源中電磁干擾 (EMI) 的起源可以追溯到功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 開關(guān)過程中產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt)。 ） 設(shè)備。
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