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加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展
在干法刻蝕中，由于與氣體分子的碰撞和其他隨機熱效應，加速離子的軌跡是不均勻且不垂直的(圖1)。這會對刻蝕結(jié)果有所影響，因為晶圓上任何一點的刻蝕速率將根據(jù)大體積腔室可見的立體角和該角度范圍內(nèi)的離子通量而變化。這些不均勻且特征相關(guān)的刻蝕速率使半導體工藝設計過程中刻蝕配方的研發(fā)愈發(fā)復雜。在本文中，我們將論述如何通過在SEMulator3D?中使用可視性刻蝕建模來彌補干法刻蝕這一方面的不足。
