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Micro LED顯示芯片的巨量轉(zhuǎn)移工藝：精度控制與缺陷檢測(cè)方法
Micro LED作為下一代顯示技術(shù)的核心方向，憑借高亮度、高對(duì)比度、低功耗等優(yōu)勢(shì)，成為AR/VR、柔性穿戴等高端場(chǎng)景的理想選擇。然而，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程面臨兩大核心挑戰(zhàn)：巨量轉(zhuǎn)移的精度控制與缺陷檢測(cè)的可靠性。本文從技術(shù)原理、工藝創(chuàng)新及檢測(cè)方案三個(gè)維度，解析Micro LED制造中的關(guān)鍵突破。
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