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想看大牛是如何DIY射頻功放的嗎？
最近我自己在做一款射頻功放。做出來也就是一款產(chǎn)品了。談到功放，大家都不陌生，就是把信號放大最后經(jīng)過天線發(fā)射出去，但是目前射頻這一塊，把功放單獨拿出來算是一個類目，功放說起來很簡單，但是做起來要考慮的事
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新穎射頻功放電路設計全過程
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結構。射頻功率放大器管芯由原來的兩個減
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漢天下單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片出貨超1億顆
去年年中，漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U)，截止到2014年2月底前近9個月的時間累計出貨量已經(jīng)超過1億顆！經(jīng)過了近一年的市場嚴酷考驗，HS8292(U)/HS8
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射頻功放的建模
標簽：射頻電路 模糊邏輯隨著通信技術的發(fā)展，射頻電路在通信系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。功率放大器的研究和設計一直是通信發(fā)展中的重要課題。近年來，基于模糊神經(jīng)網(wǎng)絡的射頻器件和電路建模的研究取得了巨大的成果，
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芯通科技以“1-2-3”戰(zhàn)略領航射頻行業(yè)
現(xiàn)代通信技術發(fā)展過程中，射頻技術是重要的研究內(nèi)容之一?！耙?G為代表的無線通信將成為下一個爆發(fā)點，而射頻是最薄弱的環(huán)節(jié)，因此也最有發(fā)展前景。”芯通科技CEO李睿2006年接受媒體采訪時對射頻產(chǎn)業(yè)前景做出如此判斷
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芯通科技——與全球巨頭共舞的射頻技術專家
“芯通科技與TI的合作屬于一見鐘情，并很快進入狀態(tài)。三年的時間內(nèi)，我們之間的合作無論從深度、廣度上都發(fā)展得很不錯。能獲得今天的合作局面，除了TI領先的產(chǎn)品與技術外，還有TI公司Saels和FAE在商務和技術上鍥而不
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南京民企研制出“北斗系統(tǒng)”新一代核心芯片
近日，江蘇博納雨田通信電子有限公司研制出北斗系統(tǒng)上的新一代核心部件接收發(fā)射芯片和射頻功放芯片，產(chǎn)品性能更高、體積更小，標志著我國北斗產(chǎn)品關鍵技術向更高水平邁進。博納雨田的銷售副總經(jīng)理趙偉告訴記者，一般
2011-11-24 -
NXP攜手華為成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)實驗中心
恩智浦半導體NXP Semiconductors與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。9月28日，恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺
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恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心
恩智浦半導體NXP Semiconductors與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。9月28日，恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺
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恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)中心
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺部部
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恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺部部
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射頻功放保護控制電路的設計與應用
摘要：介紹了超短波通信電臺射頻功放功率保護控制電路的功用和工作原理，并給出了原理電路?！ ‖F(xiàn)代軍用、民用超短波通信電臺，為了滿足其通信距離遠的要求，其射頻功率輸出大，射頻功放一般工作在大電流、高功
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D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用
O 引言 隨著微電子技術的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態(tài)，從而提高整機效
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D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用
O 引言 隨著微電子技術的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態(tài)，從而提高整機效
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利用對數(shù)檢波器實現(xiàn)射頻功放過駐波保護
引言 駐波比（VSWR）是用來測量射頻電路中阻抗失配度的指標。駐波比過大會將會影響通信距離，降低信息傳輸?shù)馁|量，并且會導致射頻電路出現(xiàn)一系列問題。位于天線前端的功率放大器是對駐波惡化最為敏感的部件，反
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DTV發(fā)射機75W射頻功放模塊的設計與實現(xiàn)
按照系統(tǒng)指標要求，設計實現(xiàn)了一種可用于數(shù)字電視發(fā)射機的75 W大功率的功放模塊。
