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導熱率高、擊穿電場高

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  • 新能源為寬禁帶半導體帶來機遇

    功率半導體芯片目前發(fā)展到第3代，即以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體，它們具有導熱率高、擊穿電場高、介電常數(shù)低、禁帶寬度高、飽和漂移速度高等一系列優(yōu)勢。以新能源汽車電機驅(qū)動器為例，采用寬禁帶半導體芯片可以提高效率、節(jié)省冷卻系統(tǒng)體積、提高功率密度，使電池效率提高10%，這是一個很大的比例。