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寬帶隙技術(shù)：21世紀(jì)電力電子應(yīng)用的新規(guī)范
在過去的二十年中，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了實驗，這些材料顯示出巨大的潛力來替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體應(yīng)用中的現(xiàn)有硅材料技術(shù)。在新世紀(jì)即將來臨之際，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)達(dá)到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而拋棄了其他潛在的替代方法，并得到了全球工業(yè)制造商的足夠關(guān)注。
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