SyncFlash存儲器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

μPSD中存儲器系統(tǒng)的配置(圖)

存儲器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計

中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

在此次大會上選舉產(chǎn)生了中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正、副理事長和秘書長，紫光集團聯(lián)席總裁、長江存儲董事刁石京當(dāng)選理事長，北京大學(xué)蔡一茂等18人當(dāng)選副理事長，長江存儲副董事長楊道虹當(dāng)選秘書長。

ARM新技術(shù) 助力大幅縮小存儲器的占位空間

臺媒：硅晶圓需求旺盛 明年第一季度仍將漲價

據(jù)中國臺灣地區(qū)媒體報道，環(huán)球晶、臺勝科和合晶等半導(dǎo)體硅晶圓廠透露，中國大陸的晶圓廠近期釋出的硅晶圓需求是以往的三倍;除存儲器廠產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健外，加上車載和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提升，明年半導(dǎo)體用硅晶圓仍供不應(yīng)求，預(yù)期明年首季合約價仍將上漲。

華邦電搶攻SLC NAND市占率 布局汽車電子等領(lǐng)域

存儲器大廠華邦電29日召開法說會，總經(jīng)理詹東義表示，未來將深耕編碼型儲存快閃存儲器 (Code Storage Flash)，推出高品質(zhì)、高速的 SLC Serial NAND Flash，速度可與 NOR Flash 媲美，“我不覺得別人做得出來”，未來除搶攻車用領(lǐng)域外，包括智慧音箱等需求，均將成為推升華邦電在該領(lǐng)域市占率的機會。

中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立

近日，中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會暨第一次會員大會在武漢舉辦。工業(yè)和信息化部副部長羅文出席大會并致辭，宣布中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立。湖北省副省長曹廣晶出席大會并致辭，與羅文共同為聯(lián)盟揭牌。

單片機存儲器結(jié)構(gòu)

我們來思考一個問題，當(dāng)我們在編程器中把一條指令寫進單片要內(nèi)部，然后取下單片機，單片機就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機的某個地方，并且這個地方在單片機掉電后依然可以保持這條指令不會丟失，這是個什么地方呢?

三星、SK海力士開始研發(fā)EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM，最快2020年量產(chǎn)

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家存儲器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。

神鋼電工建次世代PBGA基板

球閘陣列封裝基板 ( BGA )大廠神鋼電氣工業(yè)( Shinko Electric )26日于日股盤后發(fā)布新聞稿宣布，為了因應(yīng)存儲器小型、薄型化需求，將量產(chǎn)采用最先端MSAP(Modified Semi Additive Process)工藝的次世代塑膠球閘陣列(PBGA)基板，將投資16億日元在新井工廠內(nèi)興建次世代PBGA基板產(chǎn)線，且預(yù)計于2019年度下半年(2019年4-9月期間)啟用生產(chǎn)。

集成電路產(chǎn)業(yè)會真的如趙偉國所說迎來最好發(fā)展時機了嗎？

2018年，恰逢中國改革開放40年。 40年前，64Kb動態(tài)隨機存儲器(DRAM)誕生，宣告超大規(guī)模集成電路時代來臨，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開始研制4Kb DRAM，在次年投入生產(chǎn);40年后，今年第四季度，紫光集團旗下長江存儲研發(fā)的64Gb 32層三維閃存芯片(3D NAND Flash)將實現(xiàn)量產(chǎn)，8月份剛剛推出的Xtacking技術(shù)更是給閃存芯片結(jié)構(gòu)帶來了歷史性突破，為全球閃存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展留下了中國企業(yè)濃墨重彩的一筆。

嵌入式應(yīng)用中存儲器類型的選擇技巧

嵌入式非易失性存儲器在汽車系統(tǒng)中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢

處理器存儲器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設(shè)計

大容量存儲器的應(yīng)用設(shè)計

嵌入式設(shè)備中片上存儲器的有效使用方法

IBM發(fā)表STM脈沖技術(shù)可望造就原子級存儲器

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超大容量存儲器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用（2）———超大容量存儲器K9F2G08