太赫茲射頻前端集成:InP HEMT與CMOS的異質(zhì)封裝方案
6G太赫茲通信突破:室溫石墨烯調(diào)制器實(shí)現(xiàn)100Gbps@300GHz傳輸
太赫茲波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu):D波段微帶線 - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的S11< - 20dB實(shí)現(xiàn) 引言
太赫茲通信技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀怎么樣?
太赫茲發(fā)展及應(yīng)用
國(guó)際6G標(biāo)準(zhǔn)之爭(zhēng)陷入僵局,中國(guó)電科首次發(fā)布太赫茲通信系統(tǒng)!
具有廣闊應(yīng)用前景的太赫茲輻射
首款國(guó)產(chǎn)太赫茲成像芯片發(fā)布,將用于安檢儀中
非制冷太赫茲相機(jī)
太赫茲紅外照相機(jī)