MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),你可以把這個(gè)門(mén)想象成一個(gè)水龍頭你逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)水龍頭水開(kāi)始流出水龍頭,你順時(shí)針旋轉(zhuǎn)它水停止流出水龍頭。同樣,柵極電壓決定器件的導(dǎo)電性。根據(jù)這個(gè)柵極電壓,我們可以改變電導(dǎo)率,因此我們可以把它用作開(kāi)關(guān)或放大器,就像我們用晶體管作為開(kāi)關(guān)或放大器一樣。自20世紀(jì)80年代功率MOSFET問(wèn)世以來(lái),功率開(kāi)關(guān)變得更快、更高效。幾乎所有現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源都使用某種形式的功率mosfet作為開(kāi)關(guān)元件。
什么是即用型600V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?它有什么作用?德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN),50mΩ和70mΩ功率級(jí)產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)相比,LMG341x系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。