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使用單個(gè) PWM 信號(hào)控制 GaN 半橋功率級(jí)
分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對(duì)更用戶友好界面的需求，同時(shí)也提高了效率。半橋 GaN 功率級(jí)（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨(dú)驅(qū)動(dòng)輸入。兩個(gè)輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因?yàn)槲覀兛梢哉{(diào)整每個(gè) FET 開啟和關(guān)閉的確切點(diǎn)。
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IR2304半橋驅(qū)動(dòng)集成電路的功能原理及應(yīng)用
IR2304是美國IR公司生產(chǎn)的新一代半橋驅(qū)動(dòng)集成芯片，該芯片內(nèi)部集成了互相獨(dú)立的控制驅(qū)動(dòng)輸出電路，可直接驅(qū)動(dòng)兩個(gè)中功率半導(dǎo)體器件如MOSFET或IGBT，動(dòng)態(tài)響應(yīng)快，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，工作頻率高，且具有多種保護(hù)功能。
