隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展,制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫,從而促使模擬集成電路的工藝水平達到深亞微米級。因為諸如溝道長度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
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