MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測驗(yàn)是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索,那么如何用示波器測試MOS管功率損耗?
阻抗匹配(impedance matching) 主要用于傳輸線上,以此來達(dá)到所有高頻的微波信號(hào)均能傳遞至負(fù)載點(diǎn)的目的,而且?guī)缀醪粫?huì)有信號(hào)反射回來源點(diǎn),從而提升能源效益。信號(hào)源內(nèi)阻與所接傳輸線的特性阻抗大小相等且相位相同,或傳輸線的特性阻抗與所接負(fù)載阻抗的大小相等且相位相同,分別稱為傳輸線的輸入端或輸出端處于阻抗匹配狀態(tài),簡稱為阻抗匹配。
人們可能希望讓工業(yè)系統(tǒng)中的DAC驅(qū)動(dòng)寬范圍負(fù)載。采用固定電源供電的DAC可能會(huì)在芯片上產(chǎn)生大量功耗,尤其當(dāng)負(fù)載較小或發(fā)生短路至地等情況時(shí)。此功耗可能會(huì)讓溫度上升至超過
隨著電子產(chǎn)品對(duì)開關(guān)電源需求不斷增長,下一代開關(guān)電源的功率損耗測量分析也越來越重要。本文介紹如何將數(shù)字熒光示波器和功率測量軟件結(jié)合起來,迅速測定開關(guān)電源的功率損耗
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索,那么該如何量化評(píng)估呢?
近年來,人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多,致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升,不僅大多數(shù)西方國家是這樣,新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加,因?yàn)槿剂腺Y源