為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度,NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加,單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層,這是接下來一段時(shí)間內(nèi)的市場主流。
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