中國(guó)內(nèi)存從此起飛?

　　我國(guó)的DRAM內(nèi)存、NAND閃存技術(shù)與電子技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家相比要落后多年，像韓國(guó)三星、日本的東芝等企業(yè)，一直是我們追逐的對(duì)象。而中國(guó)的科學(xué)研究人員在此方面也獲得了喜人的成就。就在數(shù)月前國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道我國(guó)的PCM相變內(nèi)存項(xiàng)目已經(jīng)開(kāi)工建設(shè)，價(jià)值130億元的項(xiàng)目正如火如地荼施工中。更值得提到了的是，這個(gè)包含復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)心血基于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二維非易失性存儲(chǔ)芯片性能將是以往此類芯片的1000倍之多，刷新時(shí)間是傳統(tǒng)內(nèi)存的150多倍，其超高的耐用性是國(guó)產(chǎn)芯片的一大優(yōu)勢(shì)!