在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,數(shù)字隔離器作為實現(xiàn)電氣隔離狀態(tài)下信號傳輸?shù)年P(guān)鍵器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力能源、通信網(wǎng)絡(luò)、儀器儀表以及消費電子等眾多領(lǐng)域。它如同電子系統(tǒng)中的 “安全衛(wèi)士”,確保不同電路間信號的可靠傳輸,同時防止電氣干擾與危險電流的傳導(dǎo)。早期的數(shù)字隔離器以光耦為代表,借助 “電-光-電” 轉(zhuǎn)換原理達成信號的隔離傳輸。然而,隨著技術(shù)的不斷進步,在面對低功耗、高性能、高可靠性等嚴(yán)苛場景時,光耦逐漸暴露出功耗大、速率低、壽命短等弊端。于是,研發(fā)高傳輸速率、低功耗、高可靠性、小體積且高集成度的數(shù)字隔離器技術(shù),成為了行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。