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全橋逆變器VDS波形畸變解析：驅(qū)動電路與布局的優(yōu)化實(shí)踐
在新能源發(fā)電、電動汽車充電等高頻電力電子應(yīng)用中，全橋逆變器作為核心功率轉(zhuǎn)換單元，其開關(guān)管（MOSFET/IGBT）的VDS（漏源極電壓）波形質(zhì)量直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，超過40%的逆變器故障源于VDS波形畸變引發(fā)的過壓擊穿。本文以SiC MOSFET全橋逆變器為例，系統(tǒng)分析VDS波形畸變的根源，結(jié)合驅(qū)動電路設(shè)計與PCB布局優(yōu)化提出解決方案，并通過10kW光伏逆變器實(shí)測驗(yàn)證技術(shù)有效性。
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諧振單相全橋逆變器控制方法如何確定？
隨著電子電力器件設(shè)計技術(shù)的不斷發(fā)展，逆變器被廣泛的應(yīng)用在各種設(shè)計當(dāng)中，其中串聯(lián)諧振全橋逆變器被使用的頻率更是頻繁。本篇文正就針對串聯(lián)諧振半橋變壓器當(dāng)中的脈沖密度
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詳解串聯(lián)諧振單相全橋逆變器常用的控制方法
討論了幾種常用的串聯(lián)諧振單相全橋逆變器的功率和頻率控制方法，比較了各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，同時對脈寬加頻率調(diào)制的方法進(jìn)行了較深入的討論。 引言 隨著可自關(guān)斷電力電
