近日,JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)
對(duì)于電池供電的便攜設(shè)備而言,除了需要突破處理能力的限制外,便攜式系統(tǒng)電源的性能也需要不斷改進(jìn)。本文探討便攜嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)以及設(shè)計(jì)中應(yīng)遵循的準(zhǔn)則。這
ESD保護(hù)對(duì)高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。本文探討了采用TVS二極管防止ESD時(shí),最小擊穿電壓和擊穿電流、最大反向漏電流和額定反向關(guān)斷電壓等參數(shù)