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異質結構新材料二硫化鉬，未來芯片的新潛力
將二硫化鉬添加在原有PC原料上，可以達到導熱、散熱的要求。隨著半導體制程邁向 3 納米，如何跨越晶體管微縮的物理極限，成為半導體業(yè)發(fā)展的關鍵技術。厚度只有原子等級的二維材料，例如石墨烯(Graphene)與二硫化鉬(MoS2)等，被視為有潛力取代硅等傳統(tǒng)半導體材料。
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研究者開發(fā)出石墨烯的“競爭者”——二硫化鉬
賓夕法尼亞大學的研究人員研究出了可控的、導電能力能被開啟和關閉的、能夠自發(fā)光的硅的替代品——二硫化鉬。石墨烯，一種單原子厚度的碳原子晶格材料，由于其極
