安森美獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù),以強(qiáng)化其在人工智能數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
電源與負(fù)載的阻抗匹配:目標(biāo)阻抗(Target Impedance)設(shè)計(jì)法的紋波驗(yàn)證
第三代半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心電源中的滲透路徑:SiC MOSFET替代IGBT的選型臨界點(diǎn)分析
有效降低電源紋波的技術(shù)方法與實(shí)踐指南
延長電源壽命與適應(yīng)電源限制的實(shí)用指南
電源PCB中的地平面分割與信號完整性保障策略
電源輸入浪涌電流的測試與NTC熱敏電阻抑制方案
電源輸出過沖抑制的電容/電感參數(shù)匹配方法研究
電源模塊化設(shè)計(jì)中的可維護(hù)性與冗余配置實(shí)踐
高溫環(huán)境下電源模塊的熱循環(huán)測試與壽命評估方法
智能檢測設(shè)備PCBA方案設(shè)計(jì)開發(fā)
預(yù)算:¥20000