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八種電路圖讓你了解三極管基礎功能
本文為初學者收集整理了以下關于三極管的8款電路實例圖片，圖中清晰的展示了三極管的基本功能，希望能夠使初學者了解三極管的截止特性及其使用方法。低邊開關高邊開關基極電
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55 MHz至15 GHz、單芯片頻率合成器提供低相位噪聲和雜散性能
為了支持航空航天和防務、無線基礎設施、微波點對點鏈路、測試與測量以及衛(wèi)星終端等多種應用，ADI公司開發(fā)了一款集成VCO的寬帶頻率合成器，提供出色的性能和靈活性。ADF5610采用小數N分頻架構，可產生57 MHz至14.6 GHz頻率并實現(xiàn)單芯片頻率合成器的最低相位噪聲性能。與使用多個窄帶、GaAs VCO和PLL的替代解決方案相比，ADF5610的功耗低50%，實現(xiàn)了更小尺寸并提供更簡單的板圖設計，可降低物料清單成本并縮短產品上市時間。
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基于TS-900的PXI半導體測試系統(tǒng)解決方案
半導體測試行業(yè)現(xiàn)狀電子行業(yè)正處于不斷的壓力下必須降低其制造成本。上市時間給半導體制造商很大的壓力，在新產品投入市場后的很短時間內，利潤是最高的，隨后，由于競爭者
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常用EMC前級電路設計經驗分享
大家都知道，EMC 描述的是產品兩個方面的性能，即電磁發(fā)射/干擾EME和電磁抗擾EMS。EME中又包含傳導和輻射;而EMS中又包含靜電、脈沖群、浪涌等。本文將從EMS中的浪涌抗擾度的
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如何設計壓電MEMS超聲波換能器產品
本文為OnScale與Mentor合作推出，由行業(yè)專家撰寫，文章詳細介紹了壓電MEMS超聲波換能器產品的設計過程，包括傳感器的仿真、設計以及它與整個系統(tǒng)的集成。了解系統(tǒng)我們正在開
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基于IR2130驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路的設計
功率場效應晶體管(Power MOSFET)是一種多數載流子導電的單極型電壓控制器件，具有開關速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態(tài)范圍大、無二次擊穿現(xiàn)象和
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TDK鋁電解電容器: 大電流能力的緊湊型單端引線式電容器系列
TDK公司(東京證券交易所代碼：6762)開發(fā)出新系列愛普科斯(EPCOS)單端引線式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定
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用15個為什么？詳解MOS器件的重要特性
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導體表面產生反型層(導電溝道)所需要加的柵極
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Power Integrations推出全新PrimePACK 3+即插即用型門極驅動器，助您加快開發(fā)速度并增強穩(wěn)定性
中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的領導者Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)近日推出全新即插即用型門極驅動器，新產品可與英飛凌的PrimePACK™3+和富士電機同類的IGBT模塊配合使用，為兩電平和三電平應用提供方案。SCALE-2™ 2SP0430T2XX門極驅動板適合工業(yè)、牽引、UPS和可再生能源應用，并且可為1200 V和1700 V IGBT模塊提供加強絕緣。2SP0430T2XX產品系列集成了眾多安全特性，例如欠壓保護(UVLO)、短路保
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IGBT開通過程分析(三)
雜散電感對電流上升階段Vce的影響感性負載雙脈沖測試電路如下圖： 負載電感足夠大，在開通過程中，負載電感的電流大小基本不變。理想條件下，續(xù)流二極管承受反向電壓時，
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IGBT開通過程分析(二)
米勒平臺過程柵極電壓在上升到一定值后，會有一個柵極電壓維持水平的階段，這個電壓稱之為密勒平臺電壓。由上面分析可知，當柵極電壓大于閾值電壓， IGBT 開始通過正向電流
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電阻式應變片電橋壓力傳感器的說明與應用解析介紹
1. 電阻式應變片電橋壓力傳感器工作原理電阻式應變式壓力傳感器是由電阻應變片組成的測量電路和彈性敏感元件組合起來的傳感器。當彈性敏感元件受到外界壓力作用時，將產生應
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如何使用帶有模擬接地層和功率接地層的開關穩(wěn)壓器？
如何使用帶有模擬接地層(AGND)和功率接地層(PGND)的開關穩(wěn)壓器?這是許多開發(fā)人員在設計開關電源時會問的一個問題。一些開發(fā)人員已習慣于處理數字接地層和模擬接地層;然而，
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IGBT開通過程分析(一)
IGBT作為具有開關速度快，導通損耗低的電壓控制型開關器件被廣泛應用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領域?，F(xiàn)在IGBT的使用比較關注的是較低的導通壓降以及低的開關損耗。作
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什么是MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)
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