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數(shù)字集成電路需要注意的十個(gè)要點(diǎn)：采樣頻率和同步采樣

上一篇我討論了與模擬和代碼生成相關(guān)的更一般的問(wèn)題。但今天我想把焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向模數(shù)轉(zhuǎn)換器。ADC 是數(shù)字控制應(yīng)用中最關(guān)鍵的外設(shè)之一，因?yàn)樗鼧?gòu)成了模擬世界和數(shù)字世界之間的紐帶。它也是最容易被誤解的外圍設(shè)備之一。對(duì)于 ADC，許多工程師只滿足于知道位數(shù)和轉(zhuǎn)換速度。但在數(shù)字控制應(yīng)用中，如果我們想要獲得滿意的結(jié)果，就必須更深入地研究 ADC 規(guī)范。

功率器件
2023-01-15

數(shù)字集成電路邏輯電路
數(shù)字集成電路需要注意的十個(gè)要點(diǎn)：做好準(zhǔn)備和保持懷疑

數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)是一個(gè)程序化的過(guò)程，包括將規(guī)格和特性轉(zhuǎn)換成數(shù)字塊，然后再進(jìn)一步轉(zhuǎn)換成邏輯電路。與數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)的許多限制來(lái)自鑄造工藝和技術(shù)限制。數(shù)字IC強(qiáng)調(diào)的是運(yùn)算速度與成本比，數(shù)字IC設(shè)計(jì)的目標(biāo)是在盡量低的成本下達(dá)到目標(biāo)運(yùn)算速度。設(shè)計(jì)者必須不斷采用更高效率的算法來(lái)處理數(shù)字信號(hào)，或者利用新工藝提高集成度降低成本。

功率器件
2023-01-15

數(shù)字集成電路邏輯電路
使用單極 4 象限 PWM來(lái)驅(qū)動(dòng)我們電機(jī)系統(tǒng)介紹

那么，哪種 PWM 技術(shù)最適合您的電機(jī)控制應(yīng)用?到目前為止，我們已經(jīng)研究了兩種電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它們會(huì)在電機(jī)上產(chǎn)生單極 PWM 電壓波形，

電源電路
2023-01-14

電機(jī)系統(tǒng) 4 象限 PWM
使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)

EPAD MOSFET 在以適當(dāng)?shù)臇艠O電壓開啟時(shí)充當(dāng)開關(guān)，其中在漏極和源極端子之間形成導(dǎo)電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關(guān)的導(dǎo)通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導(dǎo)通電流。在這種情況下，如果使用增強(qiáng)型器件，則可以通過(guò)柵極端子上的正偏置電壓打開開關(guān)，信號(hào)從源極傳播到漏極端子。信號(hào)本質(zhì)上可以是數(shù)字的或模擬的，只要用戶考慮相對(duì)于開關(guān)通道導(dǎo)通電阻的輸入和輸出阻抗水平。

功率器件
2023-01-14

MOSFET 超低電壓
使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹

許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負(fù)載不會(huì)干擾輸入信號(hào)。這有時(shí)可以通過(guò)使用晶體管緩沖器或運(yùn)算放大器緩沖器來(lái)實(shí)現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設(shè)計(jì)權(quán)衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時(shí)提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。

功率器件
2023-01-14

MOSFET 超低電壓
使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動(dòng)

在 5V、3.3V 或更低電壓下運(yùn)行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對(duì)于模擬設(shè)計(jì)，該閾值電壓直接影響工作信號(hào)電壓范圍。

功率器件
2023-01-13

MOSFET 超低電壓
使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

EPAD MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計(jì)。這些器件專為實(shí)現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。

功率器件
2023-01-13

MOSFET 超低電壓
使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

在電路設(shè)計(jì)中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì)，這給電氣工程師帶來(lái)了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來(lái)，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會(huì)使新電路獲得成功。

功率器件
2023-01-13

MOSFET 超低電壓
功率半導(dǎo)體：鍺和 SiGe 可能獲得另一次機(jī)會(huì)

有時(shí)，一項(xiàng)引發(fā)根本性或戲劇性進(jìn)步的技術(shù)或技術(shù)很快就會(huì)被最初創(chuàng)新的變化或改進(jìn)所取代，鍺基晶體管就是一個(gè)很好的例子。75 年前的 1947 年，當(dāng)約翰·巴丁 (John Bardeen)、沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Schockley) 開發(fā)并展示了第一個(gè)晶體管(一種點(diǎn)接觸器件)時(shí)，固態(tài)和現(xiàn)代電子時(shí)代誕生了。他們的晶體管使用摻雜的鍺，金箔觸點(diǎn)用小彈簧推到表面。

功率器件
2023-01-12

功率半導(dǎo)體鍺 SiGe
使用去補(bǔ)償放大器，無(wú)需提高電流即可獲得寬帶寬或大轉(zhuǎn)換率

如今，從 PDA 和智能手機(jī)到醫(yī)療設(shè)備和測(cè)試設(shè)備，所有手持設(shè)備都觸手可及，因此我們需要它們盡可能長(zhǎng)時(shí)間地使用就不足為奇了。然而，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是運(yùn)算放大器的速度，因?yàn)榈凸耐ǔＲ馕吨邢薜乃俣龋鐜捄娃D(zhuǎn)換率。我說(shuō)“通常”是因?yàn)橛欣?，我們將在此處討論?/p>
功率器件
2023-01-11

低功耗去補(bǔ)償放大器
你可以想到多少種方式去驅(qū)動(dòng)一顆 LED燈珠？

我在看我已經(jīng)使用了幾年的 Brother 噴墨打印機(jī)時(shí)，注意到它的軟開/關(guān)開關(guān)正上方有一個(gè)不起眼的綠色 LED。這個(gè) LED 有一個(gè)有趣的占空比：它關(guān)閉大約三秒鐘，然后在大約一秒鐘內(nèi)逐漸增加到最大強(qiáng)度，同樣在大約一秒鐘內(nèi)衰減回完全關(guān)閉，然后隨著循環(huán)再次開始而變暗). 只要打印機(jī)名義上打開并準(zhǔn)備就緒，它就會(huì)重復(fù)此循環(huán)，無(wú)論它是在打印還是處于靜止模式。

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2023-01-11

脈寬調(diào)制 LED驅(qū)動(dòng)
使用合適PWM驅(qū)動(dòng)我們的電機(jī)系統(tǒng)，在什么條件下可以再生最大的能量

那么，哪種 PWM 技術(shù)最適合您的電機(jī)控制應(yīng)用?當(dāng)然有很多選擇可供選擇，每一種都具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。在關(guān)于該主題的最后一篇文章中，我們將討論直流和交流電機(jī)的再生。由于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的普及，這在過(guò)去十年中已成為一個(gè)更加相關(guān)的話題。在這些應(yīng)用中，再生發(fā)生在直流母線中，最終連接到車輛中的直流電池組。但我們將在這篇文章中看到，我們也可以將其再生回交流電源，例如交流電網(wǎng)。

電源-能源動(dòng)力
2023-01-11

電機(jī)驅(qū)動(dòng) PWM
選擇合適的 PWM 技術(shù)取決于我們使用的電機(jī)類型介紹

那么，哪種 PWM 技術(shù)最適合您的電機(jī)控制應(yīng)用?希望到現(xiàn)在為止，您已經(jīng)了解 PWM 過(guò)程的用途有多么廣泛，以及該過(guò)程中的細(xì)微變化如何對(duì)電機(jī)性能產(chǎn)生巨大影響。在之前有關(guān)該主題的文章中，我僅討論了適用于 H 橋中直流電機(jī)的技術(shù)。但在這篇文章中，讓我們將討論擴(kuò)展到多相電機(jī)。要將這些技術(shù)應(yīng)用于三相逆變器，我們所要做的就是再添加一個(gè)半橋。

電源-能源動(dòng)力
2023-01-11

電機(jī)驅(qū)動(dòng) PWM
單極 4 象限 PWM 技術(shù)：最接近最佳的應(yīng)用方案

那么，哪種 PWM 技術(shù)最適合您的電機(jī)控制應(yīng)用?到目前為止，您可能已經(jīng)猜到?jīng)]有“一種”PWM 技術(shù)對(duì)所有應(yīng)用都是最佳的。但是我們今天要討論的技術(shù)非常接近。它被稱為單極 4 象限 PWM 技術(shù)(形式 II)。

電源-能源動(dòng)力
2023-01-11

電機(jī)驅(qū)動(dòng) PWM
如何正確的使用雙極PWM 技術(shù)來(lái)驅(qū)動(dòng)我們的電機(jī)系統(tǒng)

那么，哪種 PWM 技術(shù)最適合您的電機(jī)控制應(yīng)用?到目前為止，我們已經(jīng)研究了三種不同的 PWM 技術(shù)。有些可以將能量再生回直流電源，有些則不能。但它們都有一個(gè)共同特征：?jiǎn)螛O電壓波形。換句話說(shuō)，對(duì)于任何給定的 PWM 周期，電機(jī)電壓波形在 Vbus 和地之間或 –Vbus 和地之間轉(zhuǎn)換。在這篇文章中，我們將研究雙極PWM 技術(shù)的主張。對(duì)于每個(gè) PWM 周期，電機(jī)電壓波形在 Vbus 和 –Vbus 之間轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生的電機(jī)電壓波形幅度是單極 PWM 的兩倍。為此，我們將連接 H 橋。

電源-能源動(dòng)力
2023-01-11

電機(jī)驅(qū)動(dòng) PWM

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電源

數(shù)字集成電路需要注意的十個(gè)要點(diǎn)：采樣頻率和同步采樣

數(shù)字集成電路需要注意的十個(gè)要點(diǎn)：做好準(zhǔn)備和保持懷疑

使用單極 4 象限 PWM來(lái)驅(qū)動(dòng)我們電機(jī)系統(tǒng)介紹

使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)

使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹

使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動(dòng)

使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

功率半導(dǎo)體：鍺和 SiGe 可能獲得另一次機(jī)會(huì)

使用去補(bǔ)償放大器，無(wú)需提高電流即可獲得寬帶寬或大轉(zhuǎn)換率

你可以想到多少種方式去驅(qū)動(dòng)一顆 LED燈珠？

使用合適PWM驅(qū)動(dòng)我們的電機(jī)系統(tǒng)，在什么條件下可以再生最大的能量

選擇合適的 PWM 技術(shù)取決于我們使用的電機(jī)類型介紹

單極 4 象限 PWM 技術(shù)：最接近最佳的應(yīng)用方案

如何正確的使用雙極PWM 技術(shù)來(lái)驅(qū)動(dòng)我們的電機(jī)系統(tǒng)

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