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  • 電磁兼容性的重視對(duì)未來的電子設(shè)備更趨于智能化和高效化

    傳導(dǎo)輻射干擾(Conducted Emission Interference)是現(xiàn)代電子設(shè)備在工作過程中普遍面臨的一種干擾現(xiàn)象。它是指電磁噪聲通過電源線或信號(hào)線等導(dǎo)體傳播，從而影響其他設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，尤其是無線通信、自動(dòng)化控制和智能家居等領(lǐng)域，如何有效降低傳導(dǎo)輻射干擾，成為了設(shè)計(jì)工程師和技術(shù)人員需要面對(duì)的重要挑戰(zhàn)。本文將介紹一些實(shí)用的小技巧，以幫助有效降低傳導(dǎo)輻射干擾。

  • 雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實(shí)力

    在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運(yùn)行。事實(shí)上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。

  • 反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    反激式轉(zhuǎn)換器具有眾多優(yōu)點(diǎn)，包括成本最低的隔離式電源轉(zhuǎn)換器、輕松提供多個(gè)輸出電壓、簡單的初級(jí)側(cè)控制器以及高達(dá) 300W 的功率傳輸。反激式轉(zhuǎn)換器用于許多離線應(yīng)用，從電視到手機(jī)充電器以及電信和工業(yè)應(yīng)用。它們的基本操作可能看起來令人生畏，而且設(shè)計(jì)選擇很多，特別是對(duì)于那些以前沒有設(shè)計(jì)過的人來說。讓我們看看 53 VDC 至 12V、5A 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 反激式的一些關(guān)鍵設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。

  • 使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換

    英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級(jí)方法相比具有顯著優(yōu)勢。

    電源
    2024-12-22
    GaN CoolGaN HEMT

  • 通過自動(dòng)動(dòng)態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力

    氮化鎵(GaN)基功率半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換方面具有許多優(yōu)勢。它們?cè)谠S多應(yīng)用中的使用不斷增加，例如移動(dòng)設(shè)備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應(yīng)用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機(jī)制已被廣泛研究并被納入可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)。

    電源
    2024-12-22
    HEMT p-GaN

  • 非線性損耗建?？蓽?zhǔn)確估計(jì) SiC 轉(zhuǎn)換器性能

    碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、耐高溫操作以及相對(duì)于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應(yīng)用的最佳選擇。

    電源
    2024-12-22
    SiC BEV

  • 可調(diào)節(jié) 28V 3A EMI 友好型 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器模塊

    電源是任何電子設(shè)備的重要組成部分。 Texas Instruments 的 TPS54302 是一款微型 SOT23-6、高效、5ms 內(nèi)部軟啟動(dòng)、3A 同步、集成 40mR MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器芯片，具有 4.5V 至 28V 的寬輸入電壓范圍，無續(xù)流二極管和低 EMI 值。這些功能使 TPS54302 成為設(shè)計(jì)可調(diào)電源和各種應(yīng)用的絕佳選擇。

    電源
    2024-12-22
    電源 DCDC

  • 了解 DCDC 降壓轉(zhuǎn)換器輸入電容器中的電流

    所有降壓轉(zhuǎn)換器的輸入端都需要電容器。實(shí)際上，在完美的世界中，如果電源具有零輸出阻抗和無限電流容量，并且走線具有零電阻或電感，則不需要輸入電容器。但由于這種可能性極小，因此最好假設(shè)您的降壓轉(zhuǎn)換器需要輸入電容器。

  • 確保我們的光耦合器正確偏置

    在隔離電源中，光耦合器將反饋信號(hào)傳遞到隔離邊界。光耦合器包含發(fā)光二極管 (LED) 和光電檢測器。流經(jīng) LED 的電流會(huì)導(dǎo)致流經(jīng)光電檢測器的電流成比例。電流傳輸比 (CTR) 是從 LED 到光電檢測器的電流增益，通常具有非常寬的容差。當(dāng)您設(shè)計(jì)隔離反饋網(wǎng)絡(luò)時(shí)，必須考慮光耦合器和決定大信號(hào)增益的所有其他組件的容差。忽視此任務(wù)很容易導(dǎo)致產(chǎn)品投入生產(chǎn)后退貨。

  • SiC和GaN的可靠性

    近年來，電力電子應(yīng)用中越來越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無疑為電氣化和強(qiáng)勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高?，F(xiàn)在，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體從長遠(yuǎn)來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們?cè)谖磥硎欠駥?duì)設(shè)計(jì)人員來說是可靠的。

    電源
    2024-12-22
    SiC GaN

  • WBG 材料在 5G 系統(tǒng)中的集成

    在連接方面，寬帶隙半導(dǎo)體比傳統(tǒng)硅器件具有顯著優(yōu)勢，使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中應(yīng)用的理想選擇。隨著時(shí)間的推移，碳化硅和氮化鎵的重要性在這些材料的固有技術(shù)特性以及能源效率和熱管理方面的優(yōu)勢的支持下，5G 基礎(chǔ)設(shè)施的需求不斷增長。與前幾代電信相比，向 5G 網(wǎng)絡(luò)的過渡代表著范式的轉(zhuǎn)變。 5G 網(wǎng)絡(luò)有望顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度、減少延遲并能夠支持無數(shù)同時(shí)連接的設(shè)備。然而，這些功能需要能夠在苛刻的操作條件下運(yùn)行的高效基礎(chǔ)設(shè)施。

  • 電力電子熱管理的未來趨勢

    在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，熱管理已成為確保設(shè)備可靠性、效率和壽命的關(guān)鍵因素。這對(duì)于電動(dòng)汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉(zhuǎn)換器和充電電路)正在徹底改變這一領(lǐng)域。

  • 在完全工作條件下進(jìn)行測試之前測量您的 LLC 諧振回路

    半橋串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn) 100 W 以上轉(zhuǎn)換器的高效率和高功率密度。最常見的諧振拓?fù)?圖 1)是由串聯(lián)磁化電感器組成的諧振回路;諧振電感;和一個(gè)電容器(縮寫為 LLC)。參數(shù)值的選擇決定了諧振回路增益曲線的形狀，這會(huì)影響諧振轉(zhuǎn)換器在系統(tǒng)中的性能。

  • 通過加權(quán)電壓反饋減少電壓變化

    變壓器衍生的拓?fù)?例如反激式)允許電源通過向變壓器添加次級(jí)繞組來輕松創(chuàng)建多個(gè)輸出電壓。這就造成了您必須選擇要調(diào)節(jié)的輸出電壓的情況，這并不總是那么容易。它可能是具有最高功率的輸出，或者是需要嚴(yán)格調(diào)節(jié)的低壓輸出。

  • 實(shí)現(xiàn)多相降壓轉(zhuǎn)換器的負(fù)載線控制

    每一代新服務(wù)器都需要更高的計(jì)算能力和效率，同時(shí)也增加了功耗要求。確保服務(wù)器滿足市場需求的關(guān)鍵方面之一是了解微處理器的電源對(duì)整個(gè)服務(wù)器的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和效率的影響。這使得工程師能夠配置電源以獲得最佳性能。

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