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山寨筆記本能否拷貝手機(jī)成功路
在IT市場(chǎng)上，“山寨”是當(dāng)前最為流行的詞匯之一。目前山寨現(xiàn)象已經(jīng)從手機(jī)行業(yè)蔓延到PC行業(yè)，山寨筆記本正慢慢地沿著山寨手機(jī)曾經(jīng)走過(guò)的“道路”前進(jìn) 在當(dāng)前全球金融危機(jī)影響逐漸擴(kuò)大的情況下，二手商品的
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LED點(diǎn)陣電子顯示屏系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
本設(shè)計(jì)所要求的顯示漢字、字母和數(shù)字均已實(shí)現(xiàn)，并能控制文字的左右移動(dòng)及速度。同時(shí)，溫度與日期時(shí)間可以實(shí)時(shí)顯示，并且與上位機(jī)聯(lián)機(jī)通信成功。整機(jī)系統(tǒng)的硬件制作簡(jiǎn)便，難點(diǎn)是軟件設(shè)計(jì)。本系統(tǒng)采用并行方式顯示，并且采用主從單片機(jī)來(lái)控制整個(gè)系統(tǒng)，這樣能夠大大減化軟件的編寫(xiě)難度，容易實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)功能指標(biāo)。
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兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一個(gè) 802.3af/802.3at 兼容的以太網(wǎng)供電 (PoE) 接口控制器 LTC4265，該器件用于需要高達(dá) 25.5W 功率的大功率受電設(shè)備 (PD) 應(yīng)用。在 2003 年，IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)定
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兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一個(gè) 802.3af/802.3at 兼容的以太網(wǎng)供電 (PoE) 接口控制器 LTC4265，該器件用于需要高達(dá) 25.5W 功率的大功率受電設(shè)備 (PD) 應(yīng)用。在 2003 年，IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)定
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配有Dolby Volume功能的DSP（新日本無(wú)線(xiàn)）
新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)完成了配有Dolby VolumeTM功能的DSP（Digital Signal Processor）NJU26207，并開(kāi)始發(fā)放樣品。該產(chǎn)品適用于數(shù)字電視和前置環(huán)繞揚(yáng)聲器系統(tǒng)。 在更換電視的頻道，節(jié)目和CM變換，或者輸入信號(hào)源變化時(shí)
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基于VxWorks實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的通信模型設(shè)計(jì)
本文提出了一種不同于傳統(tǒng)通信機(jī)制的模塊間通信模型。將用于網(wǎng)絡(luò)通信的UDP方式引入到程序內(nèi)的模塊間通信中，避免了傳統(tǒng)方式可能引起的降低效率與資源耗費(fèi)過(guò)多問(wèn)題。通過(guò)送耦合的連接方式增強(qiáng)了程序的靈活性。在實(shí)驗(yàn)中，這種基于UDP方式的虛擬設(shè)備綁定的通信模型取得了較好效果，在對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中有著較高的價(jià)值。
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全新全球性單芯片液晶電視平臺(tái)（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了一款全新的全球性單芯片液晶電視平臺(tái)，該芯片第一次讓消費(fèi)者可以以中等價(jià)位體驗(yàn)到高畫(huà)質(zhì)電視（HDTV）和網(wǎng)絡(luò)視頻內(nèi)容前所未見(jiàn)的絕佳畫(huà)面質(zhì)量
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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美國(guó)在芯片研發(fā)領(lǐng)域落后了嗎？
對(duì)于美國(guó)在半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域的衰落我們需要重點(diǎn)研究，悲觀者認(rèn)為正如貝爾實(shí)驗(yàn)室被后來(lái)者所超越一樣，TI也在面臨同樣的問(wèn)題，需要面對(duì)諸如TSMC等新興制造商的挑戰(zhàn)，樂(lè)觀派則認(rèn)為Intel依然扮演下一代半導(dǎo)體技術(shù)世界領(lǐng)
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采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45
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2MHz降壓型DC/DC穩(wěn)壓器和LDO控制器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 4mm x 4mm QFN 或 TSSOP-20E 封裝的 36V、1.5A (ISW) 降壓和升壓型穩(wěn)壓器以及線(xiàn)性控制器 LT3570。該器件在 2.5V 至 36V (40VMAX) 的 VIN 范圍內(nèi)工作，非常適
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300mA低壓降穩(wěn)壓器解決方案（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為對(duì)能量敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供300mA低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器解決方案，在效率、瞬態(tài)響應(yīng)和占位面積方面實(shí)現(xiàn)平衡。FAN2564是低VIN LDO產(chǎn)品，能提供開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器相似的效率，而占
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全新封裝XS1-G4可編程器件（XMOS）
XMOS日前推出了其G4可編程器件的一款新型封裝形式，它是XS1-G4系列的第一款產(chǎn)品。該款新型144管腳BGA的封裝形式是專(zhuān)為要求較小外形（11mm2）的各種系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，其0.8mm的球間距是小巧型設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)單PCB布局的理想之選。
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