“我們希望通過(guò)這次展會(huì)共同推動(dòng)國(guó)內(nèi)SOI工藝技術(shù)的廣泛發(fā)展，更要推動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路行業(yè)的發(fā)展。”談及2013 IC china的期待，沈陽(yáng)硅基科技有限公司總裁海鳳濤如是說(shuō)。
2013年11月13-15日，第11屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇(簡(jiǎn)稱2013 IC china)將于上海隆重開幕。沈陽(yáng)硅基科技有限公司將展出其自主研發(fā)生產(chǎn)的8英寸薄膜SOI產(chǎn)品。
這個(gè)產(chǎn)品的特點(diǎn)是：采用TM-SOI技術(shù)，自主研發(fā)的8寸晶圓薄膜SOI硅片。
2004年，沈陽(yáng)硅基在遼寧沈陽(yáng)出口加工區(qū)起航。公司集科研開發(fā)、生產(chǎn)制造、經(jīng)營(yíng)銷售于一體，主營(yíng)半導(dǎo)體材料。
海鳳濤說(shuō)：“我們做為半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)廠家，其使命是生產(chǎn)高品質(zhì)的產(chǎn)品，為客戶做好服務(wù)，以實(shí)現(xiàn)企業(yè)不斷發(fā)展。”
沈陽(yáng)硅基是國(guó)內(nèi)唯一使用“氫離子注入”和“薄膜轉(zhuǎn)移”技術(shù)的SOI硅片供應(yīng)商，年產(chǎn)20萬(wàn)8英寸薄膜SOI、8英寸外延SOI硅片、6-8英寸磨拋SOI硅片，以及15萬(wàn)片高端8英寸外延硅片。
沈陽(yáng)硅基
國(guó)產(chǎn)化是沈陽(yáng)硅基的使命。通過(guò)這些專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)中國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片高端硅材料全面國(guó)產(chǎn)化，提升我國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片材料整體競(jìng)爭(zhēng)能力,為國(guó)內(nèi)外集成電路制造商和芯片代工廠提供低成本、高品質(zhì)的SOI材料解決方案，服務(wù)于全球半導(dǎo)體客戶。
自主研發(fā)一直被公司視為生命。主導(dǎo)項(xiàng)目是具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TM-SOI專利技術(shù)——6-12英寸的SOI絕緣層硅 (Silicon On Insulator)。該項(xiàng)目填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)大尺寸SOI產(chǎn)業(yè)化技術(shù)空白，可生產(chǎn)超薄膜、薄膜、厚膜以及外延SOI，能滿足不同客戶的各種需求。
“未來(lái)將產(chǎn)品中心推向8-12寸片，薄膜SOI的方向發(fā)展。”沈陽(yáng)硅基表示：公司將致力于SOI工藝晶圓的加工制造，會(huì)時(shí)刻關(guān)注SOI工藝在新興領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，跟隨設(shè)計(jì)的更新，以適應(yīng)市場(chǎng)的需要。
沈陽(yáng)硅基希望能夠通過(guò)2013 IC china，能夠關(guān)注SOI工藝的功率器件及RF芯片的發(fā)展動(dòng)向。關(guān)注發(fā)展動(dòng)向，跟隨設(shè)計(jì)行業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)互動(dòng)性整合。
沈陽(yáng)硅基
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