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在電子設備的電磁兼容性(EMC)設計中,抑制共模干擾是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。共模干擾會對設備的正常運行產(chǎn)生嚴重影響,甚至干擾周邊其他電子設備。磁環(huán)作為傳統(tǒng)的共模干擾抑制元件,長期以來被廣泛應用。然而,隨著技術(shù)的發(fā)展,大電流共模濾波器逐漸進入人們的視野,其在一些應用場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢,這不禁讓人思考:大電流共模濾波器代替磁環(huán)可行嗎?要解答這個問題,需要深入了解兩者的工作原理、性能特點以及實際應用需求。
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2025 年,工商業(yè)儲能正處于從政策驅(qū)動邁向價值驅(qū)動的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。在這一進程中,儲能變流器(PCS)作為實現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換的核心設備,逐漸占據(jù)行業(yè)變革的核心地位,憑借底層技術(shù)創(chuàng)新重塑工商儲價值體系。
隨著科技的飛速發(fā)展,人工智能(AI)已經(jīng)從科幻作品中的概念逐漸走進了我們的日常生活,深刻地改變著各個行業(yè)的面貌。在這一變革中,硬件作為 AI 技術(shù)運行的物理基礎,其重要性不言而喻。對于硬件工程師而言,如何在人工智能時代找準方向,迎接挑戰(zhàn),把握機遇,成為了亟待思考與解決的問題。
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從 MOSFET、二極管到功率模塊,功率半導體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施,到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導體技術(shù)的前沿,如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比,SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
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比例帶是一個無量綱的純數(shù)值,其物理意義為:調(diào)節(jié)閥從全開到全關(guān)(輸出做全量程范圍變化時),輸入(被控量)的變化占其全量程變化范圍的百分數(shù)。
在當今的電子設備領域,電源管理設計至關(guān)重要,其性能直接影響著設備的整體表現(xiàn)。隨著科技的不斷進步,氮化鎵(GaN)功率器件應運而生,為電源管理設計帶來了新的突破和提升。
前段時間 Semicon 熱鬧非凡,半導體設備企業(yè)占據(jù)了多數(shù)席位,呈現(xiàn)一片欣欣向榮之勢。但殊不知在這喧囂的背后,設備產(chǎn)業(yè)已經(jīng)悄然切換到分層時代。接下來海量設備企業(yè)將無可避免地迎來殘酷的淘汰賽,現(xiàn)在關(guān)稅大戰(zhàn)爆發(fā),國產(chǎn)替代加速,更是加大了這種緊迫性。