對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層,使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o(wú)添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層,均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu),這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí) 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補(bǔ)償技術(shù)對(duì)通帶的下降進(jìn)行補(bǔ)償,最后級(jí)聯(lián)三個(gè)半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O.18μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn),系統(tǒng)仿真和芯片測(cè)試結(jié)果表明,性能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應(yīng)用相比,該設(shè)計(jì)在很大程度上拓展了處理帶寬,提高了處理精度,并且便于集成在SOC芯片中,主要應(yīng)用于醫(yī)療儀器、移動(dòng)通信、過(guò)程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。
提出了一種基于PCB工藝的L波段寬帶低相噪VCO電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。采用基極和發(fā)射極雙端調(diào)諧的方式,并引入可變電容反饋,實(shí)現(xiàn)了電路的超寬帶。同時(shí)在低損耗的FR4基板上制作微帶小電感以形成高Q諧振器,降低了VCO的相位噪聲。基于此方法設(shè)計(jì)得到的L波段寬帶VCO比同類薄膜工藝產(chǎn)品相位噪聲低了5 dB以上。
使用國(guó)產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測(cè)試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
本文提出了一種應(yīng)用于SoC的高速高精度DAC的設(shè)計(jì),并在深亞微米CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了IP硬核形式的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在高速條件下具有良好的性能,且功耗與面積都較小,能夠有效滿足通信、測(cè)量、自動(dòng)控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求。
介紹了風(fēng)力發(fā)電變槳控制的基本原理,對(duì)以輸出功率作為控制量的變槳控制方法進(jìn)行了仿真,并引入了一種帶增益調(diào)度的變槳控制策略,通過(guò)仿真驗(yàn)證對(duì)比,證明了這種帶增益調(diào)度的控制策略可以改善變槳控制效果。
文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素,從這些因素入手實(shí)現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。
傳統(tǒng)的虛擬儀器由一塊基于PCI總線的直接利用A/D和D/A芯片構(gòu)成的數(shù)據(jù)采集板卡和相應(yīng)的軟件組成,但隨著計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的迅速發(fā)展,越來(lái)越多的數(shù)據(jù)需要由計(jì)算機(jī)處理、存儲(chǔ)和傳輸,由于通用計(jì)算機(jī)本身的特點(diǎn),它們通常不適于進(jìn)行實(shí)時(shí)性要求很高的數(shù)字信號(hào)處理,因此這種虛擬儀器不能滿足現(xiàn)實(shí)應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)處理能力、數(shù)據(jù)傳輸能力以及數(shù)據(jù)管理能力所提出的越來(lái)越高的要求。
在現(xiàn)代工程技術(shù)領(lǐng)域,存在著大量的振動(dòng)問(wèn)題。例如,車輛在凹凸不平的路面上行駛所引起的振動(dòng);旋轉(zhuǎn)機(jī)械由于質(zhì)量不平衡在運(yùn)行中的振動(dòng)等。在絕大多數(shù)場(chǎng)合,振動(dòng)都是有害的,它將影響設(shè)備的正常工作,引起機(jī)器構(gòu)件的加速磨損,甚至導(dǎo)致急劇斷裂而破壞。為了解決工程振動(dòng)問(wèn)題,機(jī)械振動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)隨著振動(dòng)測(cè)試技術(shù)理論的發(fā)展和生產(chǎn)中對(duì)測(cè)試的需求與日俱增,并有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。但性能優(yōu)越、成本低廉的測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)很難見到。尤其在工程現(xiàn)場(chǎng)的振動(dòng)測(cè)試,迫切需要低成本、高精度、高效率,同時(shí)方便靈活的測(cè)量?jī)x器。
在ARM微處理器中移入嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II,使系統(tǒng)的穩(wěn)定性、實(shí)時(shí)性得到保證,實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將應(yīng)用分解成多任務(wù),簡(jiǎn)化了應(yīng)用系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì);采用CPLD器件集成了電路的全部控制功能,擺脫了單純用由微控制器為核心的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)的速度瓶頸,極大提高了數(shù)據(jù)采集速度。整個(gè)系統(tǒng)具有速度高、實(shí)時(shí)性好、抗干擾能力強(qiáng)、性價(jià)比高等特點(diǎn)。
立景光電獨(dú)創(chuàng)的單片式彩色光阻型LCoS微型顯示器技術(shù),是現(xiàn)階段全球唯一以單片式LCoS為基礎(chǔ)的成熟量產(chǎn)技術(shù)。 采用該技術(shù)的V10其原理為將彩色濾光片嵌入半導(dǎo)體基板,因此,僅以單顆白光LED光源即可讓整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)作,與
對(duì)許多人來(lái)說(shuō),RFID往往只是被定義為一種用于識(shí)別的低成本牌照標(biāo)簽技術(shù),而且這種技術(shù)總是針對(duì)大容量、低成本的標(biāo)簽應(yīng)用,如零售供應(yīng)鏈中的商品貼標(biāo)。但是從更廣泛的意義上來(lái)說(shuō),RFID實(shí)際上包括任何使用無(wú)線射頻通信
1 引言 隨著寬帶和無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的普及和進(jìn)一步發(fā)展、人們對(duì)視頻通信、視頻播放等數(shù)字媒體服務(wù)的要求越來(lái)越多,而網(wǎng)絡(luò)視頻監(jiān)控就是在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下應(yīng)運(yùn)而生。該系統(tǒng)整合了FPGA數(shù)字視頻信號(hào)處理技術(shù)、CDMA網(wǎng)絡(luò)和Inte
1 引言 一般機(jī)器人具有視覺(jué)、力觸覺(jué),而發(fā)射眼孔波的視覺(jué)機(jī)器人幾乎未見報(bào)導(dǎo)。機(jī)器人視覺(jué)識(shí)別和發(fā)射眼孔波之后,按眼孔波信息,機(jī)器人力觸覺(jué)傳感器可以進(jìn)行相應(yīng)動(dòng)作。用視覺(jué)進(jìn)行識(shí)別,用眼孔波發(fā)射信息?! ⊙劭?/p>