最近也是在EMC測試，我們是生產(chǎn)驅(qū)動器廠家，客戶對EMC這方面有要求，我們在測試ETHCAT接口驅(qū)動器時(shí)，打靜電會導(dǎo)致驅(qū)動器復(fù)位的情況，我們查了芯片手冊，芯片承受電壓可以到3KV，外面的靜電經(jīng)過隔離，泄放等器件，到MCU的電壓應(yīng)該很小，不足以讓芯片復(fù)位，我們查了很久找不到原因，不知道從哪些方面去找靜電過不了的原因？
首先，需要確定芯片所通過的靜電測試標(biāo)準(zhǔn)與進(jìn)行接口端的靜電測試標(biāo)準(zhǔn)是否相同，通常后者屬于系統(tǒng)級的測試，參考規(guī)范為IEC61000-4-2，對應(yīng)ESD能量等級要遠(yuǎn)高于芯片手冊中的靜電等級。其次，需要確定靜電的耦合路徑，靜電能量可能通過傳導(dǎo)和空間耦合的方式干擾被測物：1. 傳導(dǎo)方式，可以檢查下所用泄放器件如TVS等是否最靠近ESD放電點(diǎn)，并聯(lián)式泄放器件的兩個(gè)管腳連接出去的走線是否足夠短，所用器件規(guī)格是否合適，如鉗位電壓等；2. 空間耦合方式，可以嘗試通過對MCU區(qū)域做屏蔽或者拉開放電點(diǎn)和MCU的空間距離來簡單判斷下是否為空間耦合干擾，可以嘗試在被干擾的信號或電源等上加泄放器件，此時(shí)器件位置應(yīng)該靠近MCU；3. 電源，復(fù)位信號等可以考慮磁珠，TVS等，注意所加器件的位置；4. MCU參考地平面的完整度對ESD放電也會有影響，地平面完整能夠減小ESD能量導(dǎo)致的地平面上電壓波動帶來的影響。
首先，需要確定芯片所通過的靜電測試標(biāo)準(zhǔn)與進(jìn)行接口端的靜電測試標(biāo)準(zhǔn)是否相同，通常后者屬于系統(tǒng)級的測試，參考規(guī)范為IEC61000-4-2，對應(yīng)ESD能量等級要遠(yuǎn)高于芯片手冊中的靜電等級。
其次，需要確定靜電的耦合路徑，靜電能量可能通過傳導(dǎo)和空間耦合的方式干擾被測物：
1. 傳導(dǎo)方式，可以檢查下所用泄放器件如TVS等是否最靠近ESD放電點(diǎn)，并聯(lián)式泄放器件的兩個(gè)管腳連接出去的走線是否足夠短，所用器件規(guī)格是否合適，如鉗位電壓等；
2. 空間耦合方式，可以嘗試通過對MCU區(qū)域做屏蔽或者拉開放電點(diǎn)和MCU的空間距離來簡單判斷下是否為空間耦合干擾，可以嘗試在被干擾的信號或電源等上加泄放器件，此時(shí)器件位置應(yīng)該靠近MCU；
3. 電源，復(fù)位信號等可以考慮磁珠，TVS等，注意所加器件的位置；
4. MCU參考地平面的完整度對ESD放電也會有影響，地平面完整能夠減小ESD能量導(dǎo)致的地平面上電壓波動帶來的影響。