研調(diào):DRAM價(jià)明年或反彈,大陸投片量估占全球低于3%
集邦科技存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)表示,今年8月DRAM合約價(jià)與前月持平,DDR4 8GB均價(jià)來(lái)到25.5美元,而9月合約價(jià)格雖然仍在議定中,但繼續(xù)持平可能性高。展望2020年,因3大DRAM原廠采獲利導(dǎo)向,資本支出預(yù)估將較今年縮減至少10%,明年產(chǎn)出年成長(zhǎng)亦是近10年來(lái)新低,僅12.5%,為價(jià)格反彈奠定一定基礎(chǔ)。
就市場(chǎng)面觀察,隨日本政府批準(zhǔn)關(guān)鍵半導(dǎo)體原料出口,7月開始的日韓貿(mào)易問(wèn)題已正式落幕,但期間OEM客戶受不確定因素與預(yù)期心理影響,紛紛拉高備貨庫(kù)存,使DRAM原廠高庫(kù)存水位逐步下降,朝正常水位邁進(jìn)。
此外,第3季適逢傳統(tǒng)旺季,加上美國(guó)將在12月初開始對(duì)部分大陸出口的電子產(chǎn)品課征關(guān)稅,也產(chǎn)生提前出貨效應(yīng),需求力道超過(guò)預(yù)期,這讓DRAM原廠在價(jià)格議定時(shí)態(tài)度更堅(jiān)定,也讓整體第3季價(jià)格扭轉(zhuǎn)原先的跌勢(shì),轉(zhuǎn)為持平。
集邦進(jìn)一步分析,3大DRAM原廠擴(kuò)廠計(jì)劃轉(zhuǎn)趨保守,如三星的平澤二廠已接近完工,但最快要到2020年第2季才會(huì)進(jìn)入商轉(zhuǎn),且新增的設(shè)備僅為支持轉(zhuǎn)進(jìn)未來(lái)的1Z納米制程,整體投片量將與今年大致相同。
SK海力士最新M16廠最快明年下半年完工,產(chǎn)能提升最快要等到2021年,加上舊廠M10逐步轉(zhuǎn)做代工,預(yù)估明年整體DRAM投片量將不增反減。
美光今年在廣島廠旁增設(shè)的F棟工廠,也是為了支持轉(zhuǎn)進(jìn)1Z納米制程,整體廣島廠產(chǎn)能并無(wú)增加;臺(tái)灣美光存儲(chǔ)器正在興建的A3新廠,初期也將支持1Znm制程轉(zhuǎn)進(jìn),短期增產(chǎn)機(jī)會(huì)不大,不過(guò),集邦認(rèn)為,A3廠基地面積不小,未來(lái)仍有新增產(chǎn)能的可能。
陸廠方面,目前有2個(gè)DRAM生產(chǎn)基地,規(guī)模較大的合肥長(zhǎng)鑫已初步投產(chǎn),初期產(chǎn)品以DDR4 8Gb為主,明年上半年將有LPDDR4 8Gb產(chǎn)品,持續(xù)往量產(chǎn)邁進(jìn),但預(yù)計(jì)要到2021年,產(chǎn)能才有機(jī)會(huì)達(dá)到滿載的10萬(wàn)顆甚至以上。
福建晉華雖受到美國(guó)禁令影響,美系設(shè)備無(wú)法有工程人員駐廠維護(hù),但內(nèi)部仍試圖自行將參數(shù)調(diào)整至最佳化,預(yù)計(jì)明年投片在1萬(wàn)顆以內(nèi)水準(zhǔn)。
整體來(lái)看,集邦預(yù)估,2020年大陸DRAM投片量占全球投片量比重將低于3%,自主生產(chǎn)成果仍有限。未來(lái)展望,大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍需克服良率、機(jī)臺(tái)建置以及IP等相關(guān)限制挑戰(zhàn),對(duì)整體DRAM產(chǎn)業(yè)供給產(chǎn)生明顯沖擊的確切時(shí)間點(diǎn)仍要持續(xù)觀察。