內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來了。據(jù)臺灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，原因是客戶需求正在變緩，會導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑，這自然是他們不想看到的。

近期，DRAM內(nèi)存合約價出現(xiàn)了明顯的走低跡象，預(yù)計到今年第四季度隨著供應(yīng)充足、供過于求，DRAM合約價會開始大幅度下降。

NAND閃存方面，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但今年全球市場供應(yīng)仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，但由于筆記本、智能手機(jī)市場都相當(dāng)飽和，需求增長有限。

同時，渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片，進(jìn)一步導(dǎo)致價格下滑，預(yù)計合約價會在今年第三季度環(huán)比下降10-15％，超出預(yù)期，第四季度則會再降15％。

對于廠商和渠道而言，DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年都會面臨很大壓力，當(dāng)然對消費(fèi)者而言就是絕對的好事兒了。

目前，三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴(kuò)充，新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會上線，同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計劃。

在此之前，三星曾計劃從今年第三季度開始，將DRAM內(nèi)存芯片每個月的產(chǎn)能輸出擴(kuò)大3萬塊晶圓。

SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴(kuò)充的計劃。

簡而言之，內(nèi)存、閃存(SSD)的價格在未來都會慢慢下降，但因?yàn)樵搭^的刻意控制，不要指望太大的降幅了。