根據(jù)外媒報道，在《財富》科技頭腦風暴大會上，英特爾首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺接受了采訪，在談到英特爾10nm問題時，他表示10nm延遲5年是因為過于激進，而7nm工藝新品將在兩年內(nèi)推出。

鮑勃·斯旺表示，英特爾一直把目標放在更好、更大的密度上，以保持其在業(yè)務上的領先地位。與上一代的14納米晶體管相比，10nm芯片的密度提高了2.7倍。

他解釋稱，英特爾交付10nm工藝延遲了5年，原因是過于激進。此外，他還表示，英特爾的7nm工藝技術預計將在兩年內(nèi)推出，目前已經(jīng)處于開發(fā)階段，英特爾將在未來兩年內(nèi)將這一技術的密度提高到目前的2.0倍。

最后，他還指出自動駕駛汽車有望成為英特爾未來的一大收入來源。