電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時要給電子元器件留夠余量才能保證電子元器件穩(wěn)定、長久的工作。借助這個題目簡單介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處，在選型時需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1.根據(jù)最大耐壓選型

三極管的集電極C和發(fā)射極E之間所能承受的最大電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時CE之間的電壓不能超過規(guī)定的數(shù)值，否則三極管會永久性損壞，以9013為例VCEO為25V，即CE之間最大不能超過25V。

MOS管在使用時漏極D和源極S之間也存在最大電壓，MOS管在工作時DS兩端的電壓不能超過規(guī)定值。一般而言MOS管的耐壓值比三極管的耐壓值高很多。

2.最大過電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力用ID來表示。電流工作時流過三極管/MOS管的電流不能超過規(guī)定值，否則器件被燒壞。

從工作穩(wěn)定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。

3.工作溫度

商業(yè)級芯片：一般范圍為0至+70℃;

工業(yè)級芯片：一般范圍為-40至+85℃;

軍工級芯片：一般范圍為-55℃至+150℃;

要根據(jù)產(chǎn)品的使用場合選擇合適的芯片。

4.根據(jù)開關頻率選擇

三極管和MOS管都有開關頻率/響應時間的參數(shù)，如果是用在高頻電路中必須考慮開關管的響應時間是否滿足使用條件。

5.其他選型條件

如MOS管的導通電阻Ron參數(shù)，MOS管的VTH開啟電壓等。