乾照光電近日獲得中華人民共和國國家知識產權局頒發(fā)的發(fā)明專利證書和中華人民共和國國家工商行政管理總局商標局簽發(fā)的商標注冊證書，具體情況分別如下：

發(fā)明名稱：掩埋式高亮度發(fā)光二極管結構

專利號：ZL201010140070.9

專利類型：發(fā)明專利

專利申請日：2010年3月30日

授權公告日：2013年6月12日

本發(fā)明公開一種掩埋式高亮度發(fā)光二極管結構，采用MOCVD、MBE或其他設備在基板生產外延層，外延層可以通過鍵合方式或某種方式轉移到另一基板，出光層另一側作為第一電極，通過掩膜保護，利用干法蝕刻或濕法蝕刻制作掩埋區(qū)，蝕刻深度越過有源層，再通過真空濺射設備掩埋區(qū)內鍍制鈍化膜作為隔離層，隔離層上方或附近鍍制第二電極。本發(fā)明提高了電流的注入效率和發(fā)光效率。

乾照光電表示，該發(fā)明在掩埋式高亮度發(fā)光二極管方面具有較強的創(chuàng)新性和領先性，該項專利將對公司核心技術的提升產生積極的影響。